Америка Құрама Штаттары чиптің қызуын басу үшін жоғары жылу өткізгіштігі бар жартылай өткізгіш материалдарды жасайды.
Чиптегі транзисторлар санының ұлғаюымен компьютердің есептеу өнімділігі жақсара береді, бірақ жоғары тығыздық сонымен қатар көптеген ыстық нүктелерді тудырады.
Тиісті жылуды басқару технологиясы болмаса, процессордың жұмыс жылдамдығын бәсеңдету және сенімділікті төмендетуден басқа, қызып кетудің алдын алу және қосымша энергияны қажет ететін себептер бар, бұл энергия тиімсіздігі мәселелерін тудырады.Бұл мәселені шешу үшін Лос-Анджелестегі Калифорния университеті 2018 жылы өте жоғары жылу өткізгіштігі бар жаңа жартылай өткізгіш материалды әзірледі, ол ақаусыз бор арсениді мен бор фосфидінен тұрады, ол бар жылу тарату материалдарына ұқсас. алмаз және кремний карбиді.қатынасы, жылу өткізгіштігі 3 еседен астам.
2021 жылдың маусымында Калифорния университеті, Лос-Анджелес жаңа жартылай өткізгіш материалдарды пайдаланып, жоғары қуатты компьютерлік чиптермен біріктіріп, чиптердің жылу генерациясын сәтті басу үшін, осылайша компьютер жұмысын жақсартты.Зерттеу тобы жылуды тарату әсерін жақсарту үшін чип пен жылу қабылдағыштың арасына бор арсенидінің жартылай өткізгішін жылу қабылдағыш пен чиптің комбинациясы ретінде енгізді және нақты құрылғының жылуды басқару өнімділігі бойынша зерттеулер жүргізді.
Бор арсениді субстратын кең энергетикалық саңылау галий нитриді жартылай өткізгішімен байланыстырғаннан кейін галлий нитриді/бор арсениді интерфейсінің жылу өткізгіштігі 250 МВт/м2К дейін жоғары екендігі және интерфейстің жылу кедергісі өте аз деңгейге жеткені расталды.Бор арсенидінің субстраты әрі қарай алюминий галлий нитриді/галий нитридінен тұратын жетілдірілген жоғары электронды қозғалғыштығы бар транзисторлық чиппен біріктірілген және жылуды тарату әсері алмаз немесе кремний карбидіне қарағанда айтарлықтай жақсырақ екендігі расталды.
Зерттеу тобы чипті максималды қуатта жұмыс істеді және ыстық нүктені бөлме температурасынан ең жоғары температураға дейін өлшеді.Тәжірибе нәтижелері көрсеткендей, алмазды жылу қабылдағыштың температурасы 137 ° C, кремний карбиді 167 ° C, бор арсениді жылу қабылдағыш тек 87 ° C.Бұл интерфейстің тамаша жылу өткізгіштігі бор арсенидінің бірегей фонетикалық жолақ құрылымынан және интерфейстің интеграциясынан туындайды.Бор арсениді материалы жоғары жылу өткізгіштікке ие ғана емес, сонымен қатар шағын интерфейстік жылу кедергісіне ие.
Құрылғының жоғары жұмыс қуатына қол жеткізу үшін оны жылу қабылдағыш ретінде пайдалануға болады.Ол болашақта қалааралық, сыйымдылығы жоғары сымсыз байланыста қолданылады деп күтілуде.Оны жоғары жиілікті қуат электроникасы немесе электронды қаптама саласында қолдануға болады.
Жіберу уақыты: 08 тамыз 2022 ж