Транзисторларды миниатюризациялау жалғасуда, олар ток өткізетін арналар тар және тар болып, жоғары электрондардың қозғалғыштығын жалғастыратын материалдарды пайдалануды талап етеді.Молибден дисульфиді сияқты екі өлшемді материалдар жоғары электрондардың қозғалғыштығы үшін өте қолайлы, бірақ металл сымдармен өзара байланысқан кезде контакт интерфейсінде Шоттки кедергісі пайда болады, бұл заряд ағынын тежейтін құбылыс.
2021 жылдың мамыр айында Массачусетс технологиялық институты басқаратын және TSMC және басқалары қатысқан бірлескен зерттеу тобы екі материал арасындағы дұрыс орналасумен біріктірілген жартылай металл висмутты пайдалану сым мен құрылғы арасындағы жанасу кедергісін төмендетуі мүмкін екенін растады. , осылайша бұл мәселені жояды., 1 нанометрден төмен жартылай өткізгіштердің қиын қиындықтарына қол жеткізуге көмектеседі.
MIT командасы электродтарды жартылай металл висмутпен екі өлшемді материалда біріктіру қарсылықты айтарлықтай төмендететінін және беріліс тогын арттыратынын анықтады.Содан кейін TSMC техникалық зерттеу бөлімі висмутты тұндыру процесін оңтайландырды.Ақырында, Тайвань ұлттық университетінің командасы құрамдас арнаны нанометрлік өлшемге дейін сәтті азайту үшін «гелий-ионды сәулелік литография жүйесін» қолданды.
Байланыс электродының негізгі құрылымы ретінде висмутты пайдаланғаннан кейін, екі өлшемді материалды транзистордың өнімділігі кремний негізіндегі жартылай өткізгіштермен салыстыруға ғана емес, сонымен қатар қазіргі негізгі кремний негізіндегі технологиялық технологияға сәйкес келеді, бұл болашақта Мур заңының шегінен шығу.Бұл технологиялық серпіліс өнеркәсіпке енетін екі өлшемді жартылай өткізгіштердің негізгі мәселесін шешеді және интегралды схемалардың Мур дәуірінен кейінгі ілгерілеуін жалғастыру үшін маңызды кезең болып табылады.
Сонымен қатар, жаңа материалдардың ашылуын жеделдету үшін жаңа алгоритмдерді әзірлеу үшін есептеу материалдары ғылымын пайдалану материалдардың қазіргі дамуының ыстық нүктесі болып табылады.Мысалы, 2021 жылдың қаңтарында АҚШ Энергетика министрлігінің Эймс зертханасы «Natural Computing Science» журналында «Кукушка іздеу» алгоритмі туралы мақала жариялады.Бұл жаңа алгоритм жоғары энтропиялық қорытпаларды іздей алады.апталардан секундқа дейінгі уақыт.Америка Құрама Штаттарындағы Sandia Ұлттық зертханасы әзірлеген машиналық оқыту алгоритмі қарапайым әдістерге қарағанда 40 000 есе жылдамырақ, бұл материал технологиясының жобалау циклін бір жылға жуық қысқартады.2021 жылдың сәуірінде Ұлыбританиядағы Ливерпуль университетінің зерттеушілері 8 күн ішінде химиялық реакция жолдарын дербес жобалай алатын, 688 тәжірибені аяқтайтын және полимерлердің фотокаталитикалық өнімділігін жақсарту үшін тиімді катализатор таба алатын робот жасады.
Оны қолмен жасау үшін айлар қажет.Осака университеті, Жапония оқу базасы ретінде 1200 фотоэлектрлік ұяшық материалдарын пайдалана отырып, машиналық оқыту алгоритмдері арқылы полимер материалдарының құрылымы мен фотоэлектрлік индукция арасындағы байланысты зерттеп, 1 минут ішінде әлеуетті қолданбалы қосылыстардың құрылымын сәтті скринингтен өткізді.Дәстүрлі әдістер 5 жылдан 6 жылға дейін қажет.
Жіберу уақыты: 11 тамыз 2022 ж